2020年全球十大IC设计厂商名单公布，高通超越博通夺冠

调研机构集邦咨询发布了 2020 年全球前十大 IC 设计厂商的营收排名，高通超越博通夺冠。前十大 IC 设计厂商合计营收为 859.74 亿美元，同比增长 26.4%。营收 194.07 亿，高通夺

PL4054锂电池500MA充电IC，SOT23-5封装

PL4054是单节锂电池充电管理IC；充电电流：0.1A～0.8A，线性双指示灯，适合USB5

FS210 TO-92SP-4 两相直流电机驱动集成电路

概述 FS210是一个由霍尔传感器和输出线圈驱动器组成的1个芯片，应用于一个2相直流电机。霍尔效应传感器的高灵敏度适用于从微型CPU冷却器到鼓风机和直流风扇的电机。典型工作电流可达0.45A，工作电压

TDM3478 PPAK-3*3-8 N-通道增强模式MOSFET

概述TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。特征RDS（接通）<9.7mΩ@VGS=4.5V RDS（接通）<6mΩ

ME2101系列 SOT-23 CMOS低静态电流PWM开关型DC/DC升压转换器

简介ME2101 系列 DC/DC 芯片是采用CMOS 工艺制造的低静态电流的 PWM 开关型 DC/DC 升压转换器。该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关电路固有的噪声问题，减小

SD8017 SOT-23单电池锂离子和锂恒压线性聚合物电池

概述 SD8017是一款完全恒定电流和单节电池用恒压线性充电器锂离子和锂聚合物电池。其SOT-23 封装和低外部元件数量使 SD8017 成为理想之选用于便携式应用。此外，SD8017是专为在 USB

TDM3478 PPAK-3*3-8 N-通道增强模式MOSFET

概述TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。特征RDS（接通）<9.7mΩ@VGS=4.5V RDS（接通）<6mΩ

CS8121 SOP8L 4.2W单声道、超低EMI、无滤波器D类音频功率放大器

概要 CS8121S是一款高效率，超低EMI, 4.0W单声道D类音频放大器。CS8121S无需滤波器的PWM调制结构减少了外部元件、PCB面积和系统成本，而且也简化了设计。高达90%的效率，快速的启

PL4009 SOT-23 N通道20V（D-S）MOSFET

特点·TrenchFET电源MOSFET应用·便携式设备的负载开关·DC/DC转换器

AO8810 TSSOP-8 共漏双n通道增强模场效应晶体管

概述AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L

PL6602 SOT23-6 快速充电协议智能管理芯片 车充移动电源技术支持

简述 PL6602芯片可以智能的识别插入的手机类型，选择最为合适的协议应对手机需要。 USB Type-A 口的 D±连接到 PL6602 ，当手机插入到 USB Type-A 口后，根据各个协议的约