NAND
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SK海力士突破NAND技术,推出321层4D NAND闪存
韩国半导体巨头SK海力士在NAND闪存技术领域取得了重大突破,其最新研发的4D NAND闪存层数比上一代产品增加了35%,达到了321层。这一技术进步不仅大幅提升了存储容量,还提高了数据的可靠性。
浮栅MOSFET——固态硬盘基本存储单元
244次播放 | 00:502024年第四季度3D NAND Flash SSD价格预计下降15%
今年,存储NAND Flash的价格持续下跌,预计由于固态硬盘(SSD)需求疲软,价格将下降高达8%。客户端SSD、嵌入式多媒体卡(eMMC)和通用闪存存储(UFS)以及3D NAND晶圆的价格将因N