第三代半导体
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第三代半导体湿法工艺痛点：SiC、GaN良率瓶颈，容易被忽略的流体输送隐患
碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件量产过程中，工艺优化大多聚焦刻蚀配方、温控参数、清洗时间调试。但很多产线反复调试工艺，良率始终难以提升，往往忽略湿法清洗、腐蚀药液流体输送系统带来的隐性污染问
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投蕉
一台顶三台！智净低氧湿法工作站黑科技拉满!
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