InP
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华林科纳
2026-09-11
刻蚀药液二次污染:造成SiC/GaN/GaAs/InP晶圆缺陷的隐形根源
湿法刻蚀属于强腐蚀、高精密制程,药液洁净度直接决定晶圆刻蚀品质。碳化硅、氮化镓、磷化铟、砷化镓这几类化合物半导体,刻蚀机理、使用药液各不相同,但面临同一个共性工艺难题:流体输送系统持续析出颗粒与杂质,