刻蚀药液二次污染：造成SiC/GaN/GaAs/InP晶圆缺陷的隐形根源

湿法刻蚀属于强腐蚀、高精密制程，药液洁净度直接决定晶圆刻蚀品质。碳化硅、氮化镓、磷化铟、砷化镓这几类化合物半导体，刻蚀机理、使用药液各不相同，但面临同一个共性工艺难题：流体输送系统持续析出颗粒与杂质，

第三代半导体湿法工艺痛点：SiC、GaN良率瓶颈，容易被忽略的流体输送隐患

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）功率器件量产过程中，工艺优化大多聚焦刻蚀配方、温控参数、清洗时间调试。但很多产线反复调试工艺，良率始终难以提升，往往忽略湿法清洗、腐蚀药液流体输送系统带来的隐性污染问